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Ni-Cr-P化學(xué)鍍層的制備與電化學(xué)腐蝕行為

2020-07-22 01:51:54 hualin

摘要

通過化學(xué)鍍技術(shù)制備Ni-Cr-P三元合金鍍層。利用稱重法,SEM,EDS,XRD和電化學(xué)測試等方法,研究鍍液中CrCl3,C3H6O3,C2H5NO2和K2C2O4濃度對Ni-Cr-P鍍層的沉積速率、Cr含量及其在模擬燃料電池環(huán)境中電化學(xué)腐蝕行為的影響。結(jié)果表明,CrCl3濃度增加,沉積速率提高;隨著C3H6O3,C2H5NO2和K2C2O4濃度的增加,沉積速率不斷降低。Ni-Cr-P鍍層的表面形貌呈胞狀結(jié)構(gòu),鍍層為非晶和微晶混合結(jié)構(gòu)。Ni-Cr-P鍍層的自腐蝕電位遠(yuǎn)高于Ni-P二元合金鍍層的,向正移動(dòng)約0.25 V;其電荷轉(zhuǎn)移電阻增大,腐蝕電流密度降低了約兩個(gè)數(shù)量級,Ni-Cr-P三元合金鍍層的耐蝕性明顯優(yōu)于Ni-P二元合金鍍層的。


關(guān)鍵詞: 化學(xué)鍍; Ni-Cr-P合金鍍層; 配位劑; 電化學(xué)阻抗; 極化曲線


近幾年,化學(xué)鍍Ni-W-P[1],Ni-Sn-P[2],Ni-Cu-P[3],Ni-Fe-P[4],Ni-Mo-P[5]的研究已經(jīng)取得了很大的進(jìn)步,獲得了性能更加優(yōu)異且能滿足不同場合要求的鎳基合金鍍層[6,7,8,9]。但是,通過化學(xué)鍍的方法沉積Ni-Cr-P三元合金鍍層的研究相對較少[10,11]。由于Cr在空氣和水中都相當(dāng)穩(wěn)定,表面容易形成一層氧化膜而變?yōu)殁g態(tài)。有研究[12,13]證明,含Cr量僅為0.1% (質(zhì)量分?jǐn)?shù)) 化學(xué)鍍Ni-Cr-P合金鍍層的耐蝕性明顯優(yōu)于Ni-P二元合金的;又有研究[14,15]證明,Cr的共沉積使鍍層提前進(jìn)入非晶態(tài),非晶態(tài)合金具有優(yōu)異的磁性、耐磨性、高強(qiáng)度、硬度和韌性等。而Ni-Cr-P合金形成非晶所需的P含量低于Ni-P合金的,說明Cr的存在有利于非晶結(jié)構(gòu)的形成,Cr富集在鍍層外表面,使鍍層的自鈍化傾向加強(qiáng),耐蝕性顯著提高[16,17]。


此外,化學(xué)鍍Ni-Cr-P三元合金具有較小的電阻溫度系數(shù) (TCR),適用于電子零部件的表面處理?;瘜W(xué)鍍Ni-Cr-P恰好彌補(bǔ)了電鍍鉻制作成本高、鍍層厚度薄、環(huán)境污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)[18,19]。


由于Cr與Ni共沉積困難,鍍液的組成和pH值不斷變化,所以Ni-Cr-P化學(xué)鍍層制備困難較多。目前,關(guān)于化學(xué)鍍Ni-Cr-P的制備與腐蝕行為的報(bào)道比較少。本工作對化學(xué)鍍法制備的Ni-Cr-P三元合金鍍層在模擬燃料電池環(huán)境 (0.5 mol·L-1硫酸溶液) 中電化學(xué)腐蝕行為進(jìn)行研究,探討鍍液中CrCl3,C3H6O3,C2H5NO2和K2C2O4濃度對Ni-Cr-P三元合金鍍層的沉積速率、Cr含量及其耐腐蝕性能的影響。


1 實(shí)驗(yàn)方法


本實(shí)驗(yàn)選用的基體材料為Q235鋼,規(guī)格為12.5 mm×20 mm×0.8 mm。其化學(xué)成分 (質(zhì)量分?jǐn)?shù),%) 為:C 0.14~0.22,Mn 0.30~0.65,Si≤0.30,S≤0.050,P≤0.045,F(xiàn)e余量?;瘜W(xué)鍍之前,依次對試樣進(jìn)行砂紙打磨→稱重→超聲波除油→水洗→酸洗除銹→水洗→活化→水洗處理。之后,將樣品放入化學(xué)鍍?nèi)芤褐羞M(jìn)行施鍍?;瘜W(xué)鍍Ni-Cr-P鍍液基礎(chǔ)配方的主要成分為:10 g·L-1 NiSO4,10 g·L-1 NaH2PO2,10 g·L-1 Na3C6H5O7,5 g·L-1 CrCl3,5 g·L-1 CHKO2,1 mg·L-1 CH4N2S,pH值為4.6,溫度85 ℃,施鍍時(shí)間為1 h。


采用S3400型掃描電子顯微鏡 (SEM) 觀察鍍層的微觀形貌,并用附帶的X射線能譜儀 (EDS) 測試鍍層中Cr的含量 (質(zhì)量分?jǐn)?shù))。采用MiniFlex600型X射線粉末衍射儀 (XRD) 測試鍍層的晶相結(jié)構(gòu),CuKα輻射,管電流15 mA,電壓40 kV,掃速8 °/min。


采用稱重法計(jì)算鍍層的沉積速率,計(jì)算公式如下:

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式中,v為沉積速率,μm·h-1;m1和m2分別為施鍍前后試片質(zhì)量,g;ρ為鍍層質(zhì)量密度,g·cm-3;s為試片面積,cm2;t為化學(xué)鍍時(shí)間,h。所有實(shí)驗(yàn)均測試3個(gè)平行試樣。


電化學(xué)測試采用CHI604E電化學(xué)工作站。電解池為三電極體系,工作電極為浸泡在電解液中暴露面積為1 cm×1 cm的化學(xué)鍍樣品,輔助電極為Pt電極,參比電極為飽和甘汞電極。電解液為0.5 mol·L-1的硫酸溶液。極化曲線測試電位范圍為自腐蝕電位±150 mV,掃描速率為0.5 mV·s-1。極化曲線實(shí)驗(yàn)結(jié)果采用CHI604E電化學(xué)工作站自帶分析軟件進(jìn)行分析。電化學(xué)阻抗測試在開路電位下進(jìn)行,擾動(dòng)信號的幅值為5 mV,頻率范圍為105~10-2 Hz,掃描方向由高頻至低頻,阻抗實(shí)驗(yàn)結(jié)果采用ZSimpWin軟件進(jìn)行擬合分析。


2 結(jié)果與討論


2.1CrCl3濃度對鍍層沉積速率和耐蝕性的影響


通過在化學(xué)鍍Ni-P合金基礎(chǔ)配方中加入CrCl3,來制備Ni-Cr-P三元合金鍍層。鍍層中Cr含量利用SEM附帶的EDS進(jìn)行測定。圖1為化學(xué)鍍液中的CrCl3濃度對鍍層沉積速率和鍍層中Cr含量的影響??梢钥吹剑S著CrCl3濃度的增加,沉積速率逐漸增大;當(dāng)CrCl3濃度為20 g·L-1時(shí),沉積速率達(dá)到最大。值得注意的是,CrCl3濃度為20 g·L-1時(shí),鍍液出現(xiàn)了分解,這可能是由于配位劑的含量不足導(dǎo)致的,表明在配位劑濃度一定的條件下,鍍液中的CrCl3濃度不宜過高。而當(dāng)CrCl3濃度低于5 g·L-1時(shí),鍍層外觀較差;當(dāng)濃度大于15 g·L-1時(shí),鍍層外觀也較差;濃度在5~15 g·L-1時(shí)鍍層的外觀良好,這與文獻(xiàn)[14]的結(jié)果基本一致。由圖1可知,鍍層中Cr含量均小于1%,這與文獻(xiàn)[16]報(bào)道的結(jié)果相似。當(dāng)CrCl3濃度為3 g·L-1時(shí),鍍層表層中幾乎不含Cr;當(dāng)CrCl3濃度為5 g·L-1時(shí),Cr的含量為0.64%;當(dāng)CrCl3濃度大于5 g·L-1時(shí),鍍層中Cr的含量逐漸變小,這可能與鍍液不穩(wěn)定并且分解有關(guān)。

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圖1   鍍液中CrCl3濃度對鍍層沉積速率和Cr含量的影響


圖2a為在不同CrCl3濃度的鍍液中所制備Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線,表1為圖2的極化曲線和EIS擬合參數(shù)。由圖2a和表1可以看出,CrCl3濃度對鍍層的自腐蝕電位有影響,CrCl3濃度為20 g·L-1時(shí),所制備的Ni-Cr-P鍍層的自腐蝕電位 (Ecorr) 較負(fù),其腐蝕電流密度 (Icorr) 較大;而在其他濃度下所制備Ni-Cr-P鍍層的自腐蝕電位相對較正并且相差不大,腐蝕電流密度也相差不大。當(dāng)CrCl3濃度為5 g·L-1時(shí),所制備鍍層的腐蝕電流密度較小,為6.971 μA·cm-2。由于極化電阻 (Rp) 與腐蝕電流密度成反比,此時(shí)對應(yīng)的極化電阻較大,為6019 Ω·cm2。表明此鍍層具有較好的耐蝕性能,這可能與在該條件下Cr含量相對較高有關(guān)。

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圖2   不同CrCl3濃度條件下Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的動(dòng)電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜


表1   Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線和EIS擬合參數(shù)

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圖2b為在不同濃度的CrCl3鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的Nyquist圖及選用的等效電路圖。結(jié)果表明,Nyquist圖中均出現(xiàn)了明顯的容抗弧,在高頻區(qū)的容抗弧表明與鍍層腐蝕相對應(yīng)的電極反應(yīng)受電化學(xué)反應(yīng)控制,這與鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的腐蝕行為相對應(yīng);在中頻和低頻區(qū)的半徑大小可能與鍍層在溶液中的腐蝕產(chǎn)物膜阻抗的大小以及其保護(hù)鍍層的性能有關(guān)[20]。采用R(Q(R(CR))) 等效電路圖對結(jié)果進(jìn)行擬合。其中,Rf為鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的腐蝕產(chǎn)物膜電阻,Rct為電荷傳遞電阻。電化學(xué)阻抗譜 (EIS) 擬合的部分參數(shù)值 (Rf和Rct) 列在表1中。Rf和Rct的數(shù)值越大,表明其鍍層的耐蝕性越好。由表1可知,當(dāng)CrCl3濃度為5 g·L-1時(shí)所制備的鍍層的Rf為5042 Ω·cm2,Rct為1935 Ω·cm2,其數(shù)值均較大,這與采用極化曲線擬合的結(jié)果基本一致。


2.2 C3H6O3濃度對鍍層沉積速率和耐蝕性的影響


C3H6O3是化學(xué)鍍Ni-P合金最常用的配位劑之一。圖3為C3H6O3濃度對沉積速率和鍍層中Cr含量的影響。可以看到,隨著C3H6O3濃度的增高,鍍速逐漸下降,原因可能是隨著C3H6O3濃度增加,其配位作用逐步加強(qiáng),此時(shí)配位劑與金屬離子形成穩(wěn)定的配合物。而過多的配位劑與活性Ni2+配合,減小了游離Ni2+的濃度,因此Ni的還原沉積過程受到影響,被還原的Ni2+數(shù)目減少,沉積速率降低。Ni的還原速度在一定程度上也會影響Cr的還原速度[21]。由圖3可以看到,加入C3H6O3后,Cr的含量相比不加C3H6O3時(shí)有下降,改變C3H6O3濃度對鍍層中Cr含量影響不大,而乳酸加入可以明顯增加三元鍍液的穩(wěn)定性。

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圖3   C3H6O3濃度對沉積速率和Cr含量的影響


圖4a是不同濃度C3H6O3鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線,表2為圖4極化曲線和EIS的擬合參數(shù)。由表2可知,改變C3H6O3濃度對所制備的鍍層的耐蝕性影響不大;當(dāng)C3H6O3濃度為20 mL·L-1時(shí),鍍層的耐蝕性相對最好,腐蝕電流密度為7.178 μA·cm-2

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圖4   不同濃度C3H6O3條件下Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的動(dòng)電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜


表2   Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線和EIS擬合參數(shù)

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圖4b為是不同濃度C3H6O3鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的Nyquist圖及選用的等效電路圖。采用R(Q(R(CR))) 等效電路圖對結(jié)果進(jìn)行擬合。電化學(xué)阻抗譜 (EIS) 擬合的部分參數(shù)值列在表2中。Rf和Rct的數(shù)值越大,表明其耐蝕性越好。當(dāng)C3H6O3濃度為20 mL·L-1時(shí),所制備的鍍層的Rf為4367 Ω·cm2,Rct為1106 Ω·cm2,其數(shù)值均較大。改變鍍液中C3H6O3的濃度,對所制備鍍層的耐蝕性影響不大,其影響規(guī)律和采用極化曲線擬合的結(jié)果基本一致。通常,在單一乳酸體系的Ni-P二元合金鍍液中所制備鍍層的耐蝕性一般不夠理想,而加入其他配位劑可以改善鍍層的耐蝕性[22]。


2.3 C2H5NO2濃度對鍍層沉積速率和耐蝕性的影響


C2H5NO2是一種較弱的Ni、Cr離子的配位劑,金屬離子與配位劑的弱配位是從化學(xué)鍍?nèi)芤褐蝎@得高質(zhì)量鍍層的要求之一[11,19]。在化學(xué)鍍Ni-P二元合金鍍液中,C2H5NO2能顯著提高鍍層沉積速率且改善外觀[22]。圖5為其它添加劑濃度不變的情況下,C2H5NO2濃度對鍍層沉積速率和Cr含量的影響??梢钥吹?,隨著C2H5NO2濃度的增加,鍍速下降,這與對二元合金鍍層的影響規(guī)律不同;當(dāng)C2H5NO2的濃度為0.1 g·L-1時(shí),鍍速最大,這個(gè)濃度范圍與C2H5NO2對二元化學(xué)鍍Ni-P合金中的影響一致。在化學(xué)鍍Ni-P二元合金中,C2H5NO2的用量一般小于1 g·L-1。當(dāng)C2H5NO2的濃度為4 g·L-1時(shí),鍍層中Cr的含量為0.36%;C2H5NO2濃度為15 g·L-1時(shí),Cr的含量較低,這可能是C2H5NO2濃度對Ni的沉積有較大影響造成的。

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圖5   甘氨酸濃度對沉積速率和Cr含量的影響


圖6a是不同濃度C2H5NO2鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層的極化曲線圖,表3為圖6的極化曲線和EIS擬合參數(shù)。由圖6a和表3可知,當(dāng)C2H5NO2濃度為6 g·L-1時(shí),鍍層的耐蝕性最好,腐蝕電流密度為7.787 μA·cm-2。

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圖6   不同C2H5NO2濃度條件下Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的動(dòng)電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜


表3   Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線和EIS擬合參數(shù)

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圖6b為不同濃度C2H5NO2鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的Nyquist圖及選用的等效電路圖。采用R(Q(R(CR))) 等效電路圖對結(jié)果進(jìn)行擬合。EIS的擬合參數(shù)值列在表3中。當(dāng)C2H5NO2濃度為6和15 g·L-1時(shí)所制備的鍍層的Rf和Rct的數(shù)值均較大,Rf和Rct的數(shù)值越大,表明其耐蝕性越好,這與采用極化曲線擬合的結(jié)果基本一致。在文獻(xiàn)[11]中,濃度為15 g·L-1的甘氨酸作為Cr3+的配位劑與檸檬酸鈉復(fù)配,可以獲得耐蝕性較好的三元鍍層。


2.4 K2C2O4濃度對鍍層沉積速率和耐蝕性的影響


K2C2O4在堿性體系中通常作為Cr3+的主配位劑[7,8,9,10],而在酸性體系中則較少采用。圖7為K2C2O4濃度對鍍層沉積速率和鍍層中Cr含量的影響??梢钥吹剑S著K2C2O4濃度的增加,沉積速率逐漸下降。由于Cr3+的配位劑通常為羥基羧酸及其鹽,如甲酸和乙酸鹽、氨基乙酸、草酸及其鹽、檸檬酸及其鹽、硫氰酸鹽和酒石酸鹽等,其與Cr3+配位順序大致為:CNS-<HCOO-<CH3COO-<C4H4O42-<C4H4O62-<C2H3O3-=C3H5O3-<C3H2O42-<C6H7O7-<C2O42-<OH-[23]。可見K2C2O4與Cr的配位能力很強(qiáng),而且從圖中可以看出,隨著K2C2O4含量的增加,沉積速率逐漸下降,這是因?yàn)镵2C2O4的含量增多,與Ni2+和Cr3+充分配合,使其配合物極其穩(wěn)定,NaH2PO2不能將其還原,導(dǎo)致沉積速率降低。K2C2O4含量對鍍層成分影響不大。當(dāng)K2C2O4為2.5 g·L-1時(shí),鍍層中Cr的含量為0.30% (質(zhì)量分?jǐn)?shù))。K2C2O4的加入也改善了三元鍍液的穩(wěn)定性。

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圖7   K2C2O4濃度對沉積速率和Cr含量的影響


圖8a是不同濃度K2C2O4鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線,表4為圖8的極化曲線和EIS擬合參數(shù)。由表4可以看出,當(dāng)K2C2O4濃度為2.5 g·L-1時(shí),腐蝕電位較正,鍍層的耐蝕性相對較好,腐蝕電流密度為4.849 μA·cm-2,K2C2O4的加入對鍍層耐蝕性影響較大。

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圖8   不同K2C2O4濃度條件下Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的動(dòng)電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜


表4   Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線和EIS擬合參數(shù)

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圖8b為不同濃度K2C2O4鍍液中所制備的Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的Nyquist圖及選用的等效電路圖。采用R(Q(R(CR))) 等效電路對結(jié)果進(jìn)行擬合,EIS的擬合參數(shù)值列在表4中。可知,當(dāng)K2C2O4濃度為2.5 g·L-1時(shí)所制備的鍍層的Rf為4648 Ω·cm2,Rct為4420 Ω·cm2,其數(shù)值均較大,Rf和Rct的數(shù)值越大,表明其耐蝕性越好,這與采用極化曲線擬合的結(jié)果基本一致。


2.5 Ni-Cr-P三元合金鍍層的微觀組織和耐蝕性能


基于2.1~2.4節(jié)研究的結(jié)果,確定制備典型Ni-Cr-P三元鍍層試樣的鍍液配方及施鍍工藝如下:10 g·L-1 NiSO4,10 g·L-1 NaH2PO2,5 g·LL-1CrCl3,10 g·L-1 Na3C6H5O7,1 mg·L-1 CH4N2S,20 mL·L-1 C3H6O3,0.1 g·L-1 C2H5NO2,2.5 g·L-1 K2C2O4,5 g·L-1 CHKO2,鍍液pH值為4.6,施鍍溫度85 ℃,施鍍時(shí)間1 h。通過稱重法測出鍍層的沉積速率為5.21 μm·h-1,并與Ni-P二元鍍層進(jìn)行對比研究。


圖9a為Ni-P二元鍍層和Ni-Cr-P三元鍍層在0.5 mol·L-1的硫酸溶液中的極化曲線,表5為圖9的極化曲線和EIS的部分?jǐn)M合參數(shù)。材料在同一介質(zhì)中,通常自腐蝕電位越正,自腐蝕電流越小,該材料的耐腐蝕性能就越好。由圖9a和表5可以看到,Ni-Cr-P三元鍍層的自腐蝕電位明顯高于Ni-P二元鍍層的,提高了大約0.25 V;其自腐蝕電流密度降低了大約兩個(gè)數(shù)量級,表明三元Ni-Cr-P鍍層的耐蝕性明顯優(yōu)于Ni-P二元鍍層的。

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圖9   Ni-P和Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的動(dòng)電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜


表5   Ni-Cr-P鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的極化曲線和EIS擬合參數(shù)

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圖9b為Ni-P二元鍍層和Ni-Cr-P三元鍍層在0.5 mol·L-1硫酸溶液中的Nyquist圖及選用的等效電路圖。采用R(Q(R(CR))) 等效電路圖對結(jié)果進(jìn)行擬合。EIS的擬合部分參數(shù)值列在表5中。Ni-Cr-P三元鍍層的Rf為4658 Ω·cm2,Rct為4430 Ω·cm2,其數(shù)值相對Ni-P二元鍍層均較大,表明Ni-Cr-P三元合金鍍層耐蝕性比Ni-P二元鍍層好,這個(gè)阻抗擬合結(jié)果和采用極化曲線擬合的結(jié)果一致。另外,由圖9b的Nyquist圖也可看出,Ni-Cr-P三元鍍層的容抗弧半徑更大。文獻(xiàn)[24]指出,Nyquist圖中容抗弧半徑尺寸可表征涂鍍層阻抗性能,半徑越大,電子轉(zhuǎn)移越難,涂鍍層的電阻越大,耐腐蝕性越好,此結(jié)果從另一個(gè)方面驗(yàn)證了Ni-Cr-P三元鍍層具有更好的抗腐蝕性能。


圖10是化學(xué)鍍Ni-Cr-P三元鍍層的表面SEM像??梢钥闯觯琋i-Cr-P三元鍍層表面呈胞狀結(jié)構(gòu),且顆粒分布較均勻,排列較致密,相應(yīng)的鍍層表面較為光滑。

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圖10   Ni-Cr-P合金鍍層的表面形貌


圖11為化學(xué)鍍Ni-Cr-P三元鍍層的XRD譜??梢钥闯?,Ni-Cr-P鍍層的XRD譜在2θ=45°附近形成下部較寬的“饅頭”狀峰,可知是Ni的 (111) 衍射方向有漫散射的衍射峰,表明此時(shí)鍍層是非晶態(tài)加微晶態(tài)結(jié)構(gòu),這與文獻(xiàn)[13]結(jié)果相近。此外,鍍層中還存在少量Cr3Ni2相。有研究[16,17]指出,Ni-Cr-P三元鍍層形成非晶所需的P含量低于Ni-P二元鍍層的,Cr的存在有利于非晶結(jié)構(gòu)的形成,Cr富集在鍍層外表面,使鍍層的自鈍化傾向加強(qiáng),耐蝕性提高。如何進(jìn)一步提高鍍層表面Cr含量還有待進(jìn)一步研究。

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圖11   Ni-Cr-P合金鍍層的XRD譜


3 結(jié)論


(1) 隨著鍍液中的CrCl3濃度增加,沉積速率提高,鍍液變得不穩(wěn)定。C3H6O3,C2H5NO2,K2C2O4濃度增加,沉積速率降低,鍍液穩(wěn)定。化學(xué)鍍法制備的Ni-Cr-P鍍層表面形貌呈胞狀結(jié)構(gòu),鍍層為非晶和微晶混合結(jié)構(gòu)。


(2) 在0.5 mol·L-1硫酸溶液中,Ni-Cr-P三元鍍層的自腐蝕電位遠(yuǎn)高于Ni-P二元合金鍍層的,向正移動(dòng)約0.25 V;其電荷轉(zhuǎn)移電阻增大,腐蝕電流密度降低了大約兩個(gè)數(shù)量級,化學(xué)鍍Ni-Cr-P三元鍍層的耐蝕性明顯優(yōu)于Ni-P二元合金鍍層的。


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